內閣核准與主要目標
由副總理兼財政部長 Ekniti Nitithanprapas 主持的泰國國家半導體與先進電子政策委員會，於 2026 年 9 月 24 日通過該國首份國家半導體與先進電子策略。該框架設定累計投資約 800 億美元、2050 年前年產業營收約 1,500 億美元的目標，並在長期「Made in Thailand」晶片計畫下創造超過 23 萬個新就業機會。Ekniti 將該計畫定位為泰國首份全面性的國家框架，旨在跨全球半導體供應鏈推動價值鏈上移，並清楚展現對科技優先順序、基礎建設承諾及至 2050 年的人才培育路線圖的明確看法。
邁向本土供應鏈的三階段路線圖
該策略以三個里程碑為架構。至 2030 年，泰國將鞏固既有的封裝測試基礎、擴大先進封裝規模，並為前段晶圓生產奠定基礎。至 2040 年，政府目標是吸引錨定型投資者投入上游活動，包括晶片設計、晶圓製造與先進技術生產，補足本土供應鏈缺口。至 2050 年，泰國預期將運作完整的本土供應鏈，由泰國企業作為在地冠軍，共同開發創新並在供應鏈中擔任關鍵角色。
優先技術平臺
三大優先技術平臺為策略核心，選擇依據為契合泰國的產業優勢與全球需求。光子技術瞄準人工智慧、資料中心與高速通訊；功率半導體鎖定電動車、儲能系統與電網；感測器則奠基於泰國的微機電系統（MEMS）能力，應用於連網裝置、自動化、汽車、智慧裝置與醫療領域。
執行機制與人才規劃
執行仰賴五項協調機制：稅務優惠、補助與低利融資；與產業及學術夥伴合作培育高技術人才；在外籍與泰國夥伴關係支持下升級研發與晶片設計基礎設施；打造具投資吸引力的基礎設施，包括產業聚落園區、穩定的水電供應、潔淨能源與防災韌性系統；以及為外籍投資人與泰國供應商推動法規改革與業務便利化，並透過自由貿易協定拓展市場通路。同時，委員會通過「Siam Silica」——一項由高等教育、科學、研究與創新部協調，與大學、研究機構、產業界及國際夥伴合作推動的國家人才培育計畫。Siam Silica 預計於 2030 年前培育 86,600 人，其中包括 84,900 名高技術人才與約 1,700 名進階研究人員，透過專業課程、業界實習、海外訓練與師資培育計畫執行。
支撐策略的投資動能
該策略有既有的應用案源作為後盾。2023 年至 2026 年上半年期間，泰國投資促進委員會（Thailand Board of Investment）共收到 879 件半導體與先進電子投資促進申請案，總金額約 272 億美元（9,090 億泰銖），涵蓋各階段晶片生產、印刷電路板、硬碟、AI 伺服器、網路與電源管理設備。此外，泰國副總理 Anutin Charnvirakul 於 2026 年 9 月 24 日啟動「Thailand FastPass」倡議，該平臺橫向整合八個政府機關，透過單一監理框架縮短重大投資案（尤其是半導體、電動車與數位基礎設施領域）的審查時程。
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