臺積電與 ASML 攜手推動產業計畫，將 High NA EUV 轉換至 12 吋光罩

聯合合作計畫鎖定 HighNA EUV 的 12 吋光罩

ASML Holding N.V. 與臺積電於 2026 年 9 月 8 日宣佈一項合作計畫，旨在帶領半導體產業從現行的 6 吋光罩過渡到用於 HighNA 極紫外光（EUV）微影的更大 12 吋光罩。此宣佈是在加州蒙特雷舉行的 SPIE BACUS 會議前夕所做出，ASML 與 TSMC 於 9 月 7 日在會上正式成立該合作計畫。雙方表示，這項過渡旨在提升晶圓廠生產力、降低晶片製造成本，並消除與較小尺寸光罩相關的拼接限制，同時讓更多先進晶片製造商能夠採用 HighNA EUV。

試產線與量產就緒的里程碑

該合作計畫目標在 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，並於 2033 年前完成先進節點生產所需的完整微影系統就緒。ASML 與 TSMC 表示，HighNA EUV 將率先以現行 6 吋光罩導入量產，較大尺寸的轉換預計將沿著元件微縮路線圖逐步推進。根據該公告，TSMC 預計自 2030 年起在其 HighNA 技術用於先進節點的大量生產，而隨著電晶體架構在 AI 應用驅動下日益複雜，需要採用 HighNA EUV 的層數也將隨之增加。

業界支持與高階主管評論

ASML 與 TSMC 表示，HighNA EUV 採用者及其他主要供應商已表示有興趣加入該合作計畫，生態系合作夥伴與供應商也出席了成立活動。ASML 總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，該公司預期 HighNA EUV 的採用將沿著元件微縮路線圖逐步增加，並對半導體製造商、光罩供應商及合作夥伴的初步支持表達滿意。TSMC 董事長暨執行長魏哲家博士將此努力定位為整個產業的共同挑戰，並指出透過價值鏈的協作，旨在藉由持續創新讓先進技術能以規模化方式保持可及性。

下一個可驗證的里程碑

下一個明確設定的檢核點，是建立目標於 2031 年的 12 吋光罩試產線，並預計於 2033 年完成全套 High NA EUV 微影系統的就緒，以支援先進製程量產；同時，TSMC 規劃自 2030 年起，在先進節點的高量產製程中採用 ASML 的 High NA 技術。