EPIC 中心於聖荷西成形

Detailed view of a microchip on a printed circuit board, showcasing electronic components.

應用材料於 2026 年 10 月 12 日週一宣佈,揭幕位於加州聖荷西的設備與製程創新及商業化(EPIC)中心,並將該設施描述為一項 50 億美元的資本投資,以及全球最大的專用半導體設備與製程技術研發基地。該公司將這座 60 萬平方英尺的建築定位為專為縮短從材料創新到 AI 時代晶片大量生產路徑而設計。

設施的範圍與規模

該公司將 EPIC 中心描述為全球最複雜的研發建築計畫之一,內部設有近四英畝的先進無塵室空間。根據揭幕活動中所引用的數據,建造工程耗時超過 600 萬工時,基礎所使用混凝土足以填滿 34 座奧運標準游泳池,鋼筋強化結構所用的鋼材足以建造兩座艾菲爾鐵塔。據稱有 34 組屋頂桁架各橫跨近 300 英尺,重量相當於 12 輛校車。

創始合作夥伴與所提出的合作模式

Applied Materials 表示,晶片製造商、系統業者、設備供應商及大學研究人員將在中心內與其自身的科學家與工程師一同工作。報導所列的創始合作夥伴包括 TSMC、英特爾(三星電子)、美光科技及 SK 海力士,以及該公司所提及的其他產業與學術界參與者。

產業對 AI 藍圖的聲明

總裁兼執行長 Gary Dickerson 表示,日益成長的AI 基礎建設需求正為晶片製造技術路線圖帶來前所未有的複雜度,產業必須重新思考如何協作,以開發並商業化下一世代半導體技術。報導引述 Intel 執行長 Lip-Bu Tan 的話指出,Intel 認為在 2030 年前可在單一封裝中達成超過 1 兆顆電晶體的目標。公司表示,該中心旨在讓晶片製造商更早取得新技術,並縮短開發週期。

與客戶專案相關的資本支出

Applied Materials 表示,隨著客戶專案在該廠區啟動,資本支出預計將擴大至約 50 億美元,並將此數字定位為前瞻性的投資水位,而非已完成的支出。

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