SK hynix 鎖定 Intel 俄亥俄廠房，準備進行首次美國記憶體晶片生產

SK hynix 與 Intel 的洽談聚焦於俄亥俄廠房空間及可能的合資計畫

根據路透社引述三名知情人士的說法，SK hynix 正探索數種方式以建立其首座美國記憶體晶片生產據點，其中 Intel 長期延宕的俄亥俄製造園區成為最有可能的候選地點。其中一個選項是讓 SK hynix 得以使用該俄亥俄廠區的閒置產能。另一個更具野心的架構，可能將 Intel、SK hynix 及主要雲端公司集結為夥伴關係，旨在擴大用於 AI 基礎建設的記憶體供給。SK hynix 表示，公司正在檢視強化記憶體業務的各項選項，包括增設生產據點，但尚未做出最終決定，正評估多個國家與地點。Intel 對其所稱的市場傳聞不予置評，但重申將持續投資整備俄亥俄廠區。

可能生產什麼，以及俄亥俄與印第安納計畫有何不同

產品組合仍未定案。SK hynix 生產傳統 DRAM、NAND 儲存及高頻寬記憶體，其中最後一項已成為 AI 系統的關鍵零組件，而俄亥俄廠的任何產出都可能成為美國首座 HBM 製造廠。這些洽談的範圍與 SK hynix 現有的美國佈局不同：位於印第安納州西拉法葉的先進 HBM 封裝廠於 2024 年確認，上個月已動工，預計 2029 年下半年量產，目前投資金額已超過 40 億美元，但該廠將使用南韓製造的晶圓進行封裝與測試。俄亥俄的安排則可能首次將晶圓製造本身帶到美國本土。

Intel 延宕的俄亥俄時程與填補產能的壓力

Intel 在俄亥俄州的擴廠計畫已多次延宕。目前預計第一座晶圓廠將於 2030 年前後完工，並於 2030 或 2031 年開始營運；第二座晶圓廠則預定於 2031 年完工、2032 年投產。數十億美元仍投入於建廠作業中，因此對 Intel 而言，引進承租方或合作夥伴具有吸引力。相關交易也將符合美國對晶片業者擴大國內生產的政策壓力，包括對未在美國增設產能之海外業者祭出關稅的威脅。

成本、關稅與首爾的戰略技術審查

在美國生產記憶體的成本將高於 SK hynix 已成熟的亞洲據點，後者享有既有的半導體生態體系。韓國將部分先進晶片技術視為具有戰略重要性，其貿易部表示，涉及指定國家核心技術的投資須依《產業技術保護法》進行審查。該審查程序可能使任何將精密 HBM 或 DRAM 產線移至海外的計畫複雜化。

市場反應

Intel 週三股價上漲，此前有報導指出 SK hynix 有意利用 Intel 在美國的其中一座晶圓廠生產記憶體晶片，反映投資人在任何條件敲定前對潛在交易的揣測。