SK Hynix 執行長將記憶體定位為 AI 基礎，隨著公司擴大下一代晶圓廠佈局

郭在 Santa Clara 論壇提出「記憶體優先」主張

SK Hynix 執行長郭洛俊（Kwak Noh-jung）於 9 月 18 日在加州 Santa Clara 舉行的 2026 年全球論壇上主張，記憶體是 AI 經濟的承重層，將 DRAM 和高頻寬記憶體定位為在模型與加速器需求成長下仍能持續擴充規模的關鍵元件。公司於 9 月 21 日發布的聲明中引述郭的話指出：「AI 產業若沒有記憶體就無法存在。正如我們以高頻寬記憶體樹立新的里程碑，我們正在準備的下一代記憶體將為 AI 開啟新的可能性。」他並補充說，隨著產業擴張，AI 記憶體需求「將持續強勁」。

龍仁、印第安納及美國研發中心支撐下一波擴產佈局

為將此策略轉化為實際產能，SK Hynix 正積極推進一系列新生產與研發據點。位於南韓京畿道的龍仁半導體聚落，以及印第安納州的晶圓廠為首要項目，搭配位於美國的全新 AI 研發中心，負責公司下一代記憶體產品線的開發與生產。郭表示，SK Hynix 將「透過新的全球生產基地與研發基礎設施，維持我們的技術優勢與市場領導地位」，以全球佈局作為對抗競爭對手在高頻寬記憶體上追趕的護城河。

HBM4、HBM4E 與 2027 年 DRAM 產品路線圖

支撐此波擴產的產品時程以現有的 HBM4 標準為核心，該標準已整合進 NVIDIA 的 Rubin AI 加速器中，並接續規劃下一代HBM4E標準目前正在開發中。SK Hynix 也計劃於明年推出 LPDDR6 與 DDR6 產品，瞄準下一代 PC 與智慧型手機市場。這些產品線旨在將公司現有的 HBM、LPDDR 與 DDR 產品延伸至 AI 加速器預期所需的高頻寬層級。

Samsung 縮小差距，Micron 與 CXMT 加速追趕

Counterpoint Research引用資料顯示，Samsung Electronics 的 HBM 營收市佔率從第一季的 21% 上升至第二季的 33%，同期 SK Hynix 的市佔率則從 58% 下滑至 50%，兩家韓國供應商之間的差距正在縮小。Samsung 的成長與 HBM4 良率提升及 4nm 基礎晶片產能擴張有關。Micron 與中國的 CXMT也正加速生產，即使整體 HBM 市場預計在明年仍將處於供不應求狀態，需求成長預估將超越供給成長，雙方仍對 SK Hynix 的高階定位造成壓力。