SK hynix 動土興建 40 億美元印第安納封裝廠，目標 2029 年底前於美國首度量產 HBM

斥資 40 億美元的印第安納封裝廠正式動土

SK hynix於 2026 年 8 月 27 日在印第安納州西拉法葉舉行動土典禮，該處為其首座美國設施，是一座先進封裝工廠，而非前端晶圓廠。該公司於普渡大學所在地投資超過 40 億美元，印第安納州州長 Mike Braun、SK hynix 執行長 Kwak Noh-Jung 及其他官員出席典禮。

執行長以 2030 年為「美國製造」HBM 設定框架

Kwak 在活動中表示，印第安納廠將使該州在 2030 年成為「美國的關鍵 HBM 生產基地」。他並指出，SK hynix「將為客戶提供全新的美國製造 HBM 來源，同時強化美國半導體供應鏈，為國家及經濟安全作出貢獻」。此談話將該工廠定位為因應人工智慧需求所推動的全球高頻寬記憶體短缺。

僅限封裝的範圍，儘管面臨晶片製造在地化的壓力

這座 40 億美元的工廠將負責處理記憶體晶片的堆疊與連接，而非前段晶圓生產。記憶體晶片將持續在南韓與中國製造，部分晶片隨後運往印第安納州進行封裝，首座無塵室預計於 2028 年 10 月啟用。儘管美國施壓要求將記憶體晶片製造在地化，這座僅從事封裝的工廠仍由 SK hynix 與相關官員定位為對國內供應鏈的貢獻，而非完整的國內晶片生產。

時程：2029 年底美國量產，韓國晶圓廠為更大押注

SK hynix 已將印第安納州「美國製造」首批次世代 HBM 量產的目標設在 2029 年下半年。美國專案與一項更廣泛的 7,200 億美元擴張計畫並行，該計畫集中於南韓，公司正於當地興建其稱為全球最大的記憶體晶圓廠園區；根據 CNBC 對建設工程的報導，韓國廠的生產預計於 2027 年 2 月啟動。身為領先的高頻寬記憶體供應商，SK hynix 將印第安納廠定位為韓國產能的補充，而非取代。