談判聚焦於 Intel 的俄亥俄廠址以及一項與雲端相關的可能合資案
SK 海力士正與 Intel 進行探索性討論，內容涉及一項交易，該交易將標誌著這家南韓記憶體業者首次在美國本土生產晶片。三位知情人士告訴路透社，其中一個情境是 SK 海力士將承租 Intel 位於俄亥俄州、籌備已久的晶片製造廠部分廠區，另一個情境則是 SK 海力士可能與 Intel 及尋求確保記憶體晶片供應的主要雲端業者成立合資企業。一位消息人士形容相關討論仍處於探索階段，並強調尚未做出任何決定，並指出 SK 海力士也可能考慮其他架構。路透社無法確定哪些特定記憶體產品可能在俄亥俄生產。SK 海力士的產品線包括用於伺服器、PC 和智慧型手機的 DRAM、NAND 快閃記憶體儲存，以及高頻寬記憶體（HBM），該產品用於 AI 處理器，而 SK 海力士在該領域為領導供應商。
企業與首爾當局一方面淡化進展，一方面保留各種選項
SK 海力士於 9 月 16 日在給路透社的聲明中表示，公司「正在檢討各種措施，包括建立額外生產基地，以強化其記憶體事業的競爭力」，但也補充說「目前階段尚未確定任何事項」。Intel 拒絕對其稱之為揣測的內容發表評論，但表示將持續在俄亥俄進行投資以準備該廠址。南韓貿易部表示，任何決定都將由公司自行裁量。三位消息人士指出，任何生產 HBM 甚至 DRAM 等先進記憶體的協議都可能遭到南韓政府的反對，因為這些技術被視為敏感性技術。將於俄亥俄生產的確切產品尚未公開。
Intel 在俄亥俄州的建廠計畫與 SK Hynix 現有的美國佈局
Intel 曾表示，計畫在俄亥俄州廠址投資逾 280 億美元興建兩座最先進的晶圓廠，但已在 2025 年放緩時程，第一個模組目前預計於 2030 年至 2031 年間開始營運，第二個則預定於 2032 年投產。因此，任何與 SK Hynix 的合作安排都將是長期製造佈局，而非針對當前記憶體短缺的短期因應。SK Hynix 在美國已另有佈局：今年 8 月，該公司在印第安納州動工興建一座 AI 記憶體廠，該廠將封裝並測試下一代 HBM，預計將於 2029 年下半年開始供貨給美國客戶。兩家公司在 2020 年即已建立合作關係，當時 Intel 同意以 90 億美元將其 NAND 記憶體與儲存業務出售予 SK Hynix。
策略背景：AI 需求與美國政策壓力
這些談判正值各方持續大量投資 AI 與資料中心，導致記憶體晶片嚴重短缺之際，川普政府也正對晶片業者施壓，要求其在美國設廠生產。HBM 與NvidiaGPU 等加速運算晶片密切搭配，並以極高速率為其供應資料；傳統 DRAM 則為伺服器及其他系統提供工作記憶體；兩者皆已成為資料中心擴張的核心瓶頸。消息人士表示，若達成協議，將紓緩一直陷入困境的 Intel 所承受的壓力，並將成為川普政府的一大勝利。南韓政府對先進記憶體技術外流的敏感態度，仍是一大主要障礙。
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