在半導體業務帶動下，創下單季最佳紀錄
三星電子於 7 月 30 日的監管文件中公佈，第二季合併營收為 171.4995 兆韓元，營業利益為 89.4924 兆韓元，均創下公司單季歷史新高。營收較前一季成長 28%，營業利益則上升 56%，相較一年前的 4.68 兆韓元，營業利益更大幅成長約 19 倍。以半導體為主的裝置解決方案部門是主要推手，營收約 127.5 兆韓元，營業利益達 89.2 兆韓元（約 617 億美元），較去年同期暴增超過 250 倍，超越三星過去三年的合計獲利。公司將記憶體業務的強勁成長歸因於 agentic AI 普及所帶動的伺服器需求，使 DRAM 與 NAND 出貨量創下歷史新高。
HBM 產品藍圖與客戶佈局
三星表示，已擴大差異化的高頻寬記憶體（HBM）4 供貨，並成為首家出貨 HBM4E 樣品的晶片製造商。預期第三季 HBM4 營收將成長超過三倍，三星目標在下半年將其 HBM 市佔率拉昇至與整體 DRAM 市佔率相當的水準。Nvidia 與 Advanced Micro Devices 均為其 HBM 客戶。系統 LSI 業務受惠於行動系統單晶片與感測器出貨增加，上半年營收創下歷史新高；晶圓代工部門則因 HBM 基礎晶圓需求暢旺及北美客戶訂單挹注，業績也有所提升。
長期供應合約與晶片短缺展望
記憶體事業部資深副總 Jaejune Kim 於 7 月 30 日的法說會上向分析師表示，預期 2027 年供應短缺情況將進一步惡化，並延續至 2028 年；此立場是為回應投資人對 AI 基礎建設支出可能放緩的疑慮。三星已與全球前五大資料中心業者簽署長期供應合約，並正與另外五家大型客戶進入簽約的最後階段。這些合約期限至少五年，預計將涵蓋三星長期產能的 60% 至 70%，並納入預付款與最低價格機制，以對沖資本投資風險。
晶圓代工復甦與美國產能擴建
三星表示，與臺積電和 Intel 競爭的晶圓代工業務，隨著工廠利用率與晶片價格提升，預計「在不久的將來」轉虧為盈。其位於德州泰勒市的晶圓廠仍按既定時程於今年開始營運，公司並計劃動工興建第二座晶圓廠，預計 2030 年可達到量產。此外，三星預計於 2026 年下半年開始量產第二代 2 奈米行動製程，爭取來自 AI 與高效能運算客戶的訂單。
行動業務疲弱、研發投入與市場概況
在晶片業務之外，裝置體驗事業部營收達 48 兆韓元，但營業虧損 8,000 億韓元，其中包含 MX（行動）業務 7,000 億韓元的虧損，這是三星該業務首次出現季度虧損。Galaxy S26 系列與 A 系列帶動 MX 營收成長，但成本上升壓縮獲利。視覺顯示業務受惠於重大體育賽事與新產品發售而改善，家電銷售則在冷氣旺季需求帶動下成長，但利潤下滑。三星上半年投入創紀錄的 16 兆韓元於研發。財務長 Park Soon-cheol 表示，公司不考慮在對手 SK Hynix 於美國上市後跟進發行美國存託憑證（ADR），理由是旗下多元業務組合能穩定產生現金流。SK Hynix 此前一日公佈強勁的季度業績，並說明將 2026 年資本支出提高約 50% 的計畫。三星股價在首爾盤中一度大漲 8%，隨後漲幅收斂，收盤下跌 1.1%。
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