CXMT 進軍 HBM3E
中國最大 DRAM 製造商長鑫存儲（Chang Xin Memory Technologies）已開始小量產 HBM3E高頻寬記憶體，將產品線從傳統 DRAM 拓展至用於 AI 加速器的快速成長記憶體領域。美國科技媒體 The Information 於 2026 年 9 月 1 日引述多位知情人士報導此消息，CXMT 目標在明年提升產量。HBM3E 廣泛用於已大量部署的加速器中，包括 Nvidia 的 H200 和 Blackwell 產品。
國內測試合作夥伴與時程
據兩位知情人士表示，阿里巴巴旗下晶片設計子公司平頭哥（T-Head）以及總部位於北京的 AI 晶片商寒武紀科技（Cambricon Technologies），正以自家處理器測試 CXMT 的 HBM3E。若最終驗證如期進行，搭載 CXMT HBM 的中國 AI 晶片最快明年就能進入商用產品。CXMT、平頭哥與寒武紀均未公開證實該生產或測試，CXMT HBM3E 的產量、良率與詳細規格也尚未公開。
落後韓國與美國記憶體領導廠商
CXMT 仍落後業界三大龍頭一個世代，三星電子、SK hynix 與美光（Micron），這三家廠商已開始量產第六代 HBM4。SK hynix 於 2024 年開始量產 HBM3E，大約比 CXMT 傳出進入小批量生產早了兩年；到了 2026 年，三星與 SK hynix 都已進入 HBM4 量產，並開始向客戶供應 HBM4E 樣品，公佈的單腳位資料傳輸速度最高可達每秒 16 Gb。The Information 報導指出，CXMT 良率仍然偏低，估計仍落後主要 HBM 廠商三到五年；半導體研究機構 SemiAnalysis 表示，CXMT 上一代八層堆疊 HBM3 的前段良率約為 35%，後段良率約為 70%，整體良率約僅 25%。
資本、市佔率與出口管制背景
CXMT 於 7 月在上海上市，募資 579 億人民幣（86 億美元），用於技術升級、研發與擴大生產。Counterpoint Research 估計，CXMT 在第二季佔全球 DRAM 營收 7%，排名第四，僅次於三星、SK hynix 與美光，並被認定為當季成長最快的 DRAM 供應商。美國於 2024 年 12 月將先進 HBM 納入對中國的出口管制，理由是其在 AI 訓練與大規模推論中扮演關鍵角色；中國晶片業者同時也面臨取得先進半導體製造設備的限制。
業界反應
荷蘭晶片設備製造商 ASML 的創新中心經理 Mark Calderhead 表示，CXMT 傳出的進展可能有助於中國降低對外國掌控之記憶體技術的依賴，是其本土半導體供應鏈的重要一步，但他也補充指出，CXMT 仍落後南韓的記憶體領導廠商。Counterpoint 研究副總裁 Neil Shah 表示，CXMT 持續擴增的產能與新取得的資金提升了其前景，但也提醒其 HBM 能力在大規模量產上仍未經驗證。CXMT 並未透露其 HBM3E 是否已完成客戶驗證。
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