CXMT 開始量產第五代 DRAM 平臺，並推出兩款 24Gb LPDDR5X 晶片

CXMT 的 G5 平臺與 11.95 奈米製程說法

中國 DRAM 製造商 CXMT 於 2026 年 9 月 20 日表示，其名為 G5 的第五代技術平臺已進入量產，該公司將此舉定位為對三星電子、SK 海力士及美光科技在全球記憶體市場。CXMT 是中國領先的 DRAM 生產商，目前已在上海科創板上市，該公司表示其平臺在晶片資料儲存區段的關鍵特徵採用 11.95 奈米間距，透過「四重曝光」（quadruple patterning）製程達成，該製程重複製造步驟以產生更細微的電路圖案。副總裁兼行銷中心主管羅曉東在 2026 年於合肥舉行的世界製造業大會上表示：「我們的製程能力如今已與業界最先進的量產節點並駕齊驅。」《首爾經濟日報》引述分析師指出，11.95 奈米這個數據測量的是特定核心結構，因此難以直接與三星、SK hynix三星、SK hynix及美光所使用的「12 奈米等級」製程名稱進行比較。

密度提升與 24Gb LPDDR5X 產品

CXMT 藉此次平臺發表之際，推出兩款 24Gb LPDDR5X 產品，這是主要應用於智慧型手機及其他可攜式電子產品的低功耗 DRAM 類別。CXMT 表示，每顆晶粒（die）儲存容量較前一代同級產品提升 50%，且兩款產品皆已進入量產，提供兩種封裝格式以對應不同裝置設計。以每片晶圓（wafer）計算，CXMT 表示該平臺相較其以 8Gb 為基礎的第四代平臺，可產出至少多 50% 的總晶粒數。該數據計算的是剔除瑕疵品前的潛在晶片數量，而非通過最終測試的良率比例，且 CXMT 並未揭露具體良率或月產量數字。

國產設備供應鏈與出口管制背景

CXMT 表示，該平臺係透過電腦模擬，並與中國晶片設備製造商在關鍵生產步驟上合作研發而成，此一細節與北京當局推動降低對外國半導體技術依賴的政策方向一致。此項宣佈正值美國自 2022 年起實施出口管制、限制中國取得特定先進晶片製造設備及相關軟體的背景之下。相關報導亦指出，總部位於安徽省合肥市的 CXMT，是在自家主辦城市的製造業大會上發表此平臺，將此活動定位為技術里程碑與國產供應鏈實力的宣示。

尚未揭露的資訊與後續發展

CXMT 並未揭露 G5 平臺的具體良率或月產晶圓產量，使得其所宣稱的晶粒密度提升與新產線實際可支援的出貨能力之間存在落差。相較於三星、SK 海力士及美光的量產品，亦尚無獨立基準測試可供比較——目前缺乏的是以實際出貨產品（而非總晶粒數）為基礎的評比。市場關注焦點現轉向 CXMT 將該平臺轉化為對智慧型手機與 PC 客戶商業出貨的速度，以及後續揭露的資訊能否縮小其與既有 DRAM 領導業者之間所報導的差距。